三星已开始使用极紫外光刻技术量产14纳米DRAM芯

2021-10-12 18:00:39 作者:[db:作者]  阅读:72 次  点赞:0 次  鄙视:0 次  收藏:0 次  由 www.3ctuan.cn 收集整理
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  来源:TechWeb

  10月12日消息,据国外媒体报道,今日,存储芯片制造商宣布,它已开始使用极紫外光刻(EUV)技术量产业界最小的14纳米DRAM芯片。

  三星电子表示,EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤,提高了图案绘制的准确性,从而提高了性能和产量,缩短了开发时间。

  利用最新的DDR5标准,三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度,这是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。

  该公司表示,即将开始量产DDR5,并预计最新工艺将使生产率提高20%,功耗降低近20%。

  据悉,三星是全球最大的存储芯片和智能手机制造商之一。在近日举办的晶圆代工论坛上,该公司宣布,将从2025年开始量产2nm芯片,并计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片,第二代3nm芯片预计将在2023年生产。

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